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[1]丁 馨,徐 铖,许 珂,等.二维六方氮化硼薄膜的制备及光电特性研究[J].苏州科技大学学报(自然科学版),2020,37(01):41-45.[doi:10.12084/j.issn.2096-3289.2020.01.008]
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二维六方氮化硼薄膜的制备及光电特性研究()
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苏州科技大学学报(自然科学版)[ISSN:2096-3289/CN:32-1871/N]

卷:
37
期数:
2020年01期
页码:
41-45
栏目:
出版日期:
2020-04-09

文章信息/Info

作者:
丁 馨 徐 铖 许 珂 马锡英*
(苏州科技大学 数理学院,江苏 苏州 215009)
关键词:
六方氮化硼热蒸发沉积法纳米薄膜
分类号:
TB383;TN304.2
DOI:
10.12084/j.issn.2096-3289.2020.01.008
文献标志码:
A
摘要:
以六方氮化硼(h-BN)粉末为原料,氩气为携载气体,利用热蒸发沉积法在硅衬底上制备了h-BN二维薄膜。应用原子力显微镜观察了薄膜的表面形貌,发现该方法生长的膜均匀而光滑,其厚度为4 nm,对应十几层的 h-BN。利用X射线衍射分析了h-BN薄膜的结构,发现h-BN薄膜主要由(002)晶面排列构成,说明其生长方式为典型的层状生长模式。利用紫外可见光光谱仪测量了其吸收特性,发现该样品在209 nm附近有很强的吸收。最后,研究了h-BN/Si异质结的接触特性和电子输运特性,发现该异质结具有良好的整流特性,在光照下该异质结的光电流显著增大,表明h-BN薄膜具有良好的光电学特性,可用来制备超薄光电子器件。

备注/Memo

备注/Memo:
国家自然科学基金资助项目(31570515);江苏省“十三五”重点学科项目(20168765);苏州科技大学科研基金资助项目(XKZ201609);江苏省研究生科研创新计划项目(KYCX17_2061;KYCX18_2551)
更新日期/Last Update: 1900-01-01
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